DIGISTYLE

ЦИФРОВОЙ СТИЛЬ ТВОЕГО МИРА

Контроль функционирования запоминающих устройств

Полупроводниковые ЗУ представляют собой наиболее динамичную область развития микроэлектроники. Емкость ИС ЗУ растет гораздо быстрее плотности интеграции логических схем на БИС. И поскольку около половины интенсивности потока ошибок ЭВМ приходится на долю оперативных (основных) ЗУ, вполне понятны усилия, затрачиваемые на повышение его надежности. Оперативные ЗУ большой емкости (ОЗУ)—это динамические полупроводниковые ЗУ, обеспечивающие в несколько раз большую емкость по сравнению со статическими ОЗУ. Кстати, современные проекторы тоже имеют ОЗУ, а следовательно и функции контроля за ними.

Причиной постоянных неисправностей в ИС ОЗУ являются отказы ИС, а случайных — изменение содержимого ОЗУ из-за флуктуации питающего напряжения, кратковременных помех, воздействия а-частиц. Влияние а-частиц стало проявляться в связи с тем, что с ростом интеграции динамических ОЗУ емкость элемента ЗУ уменьшается, что сопровождается снижением критического заряда, способного изменить состояния конденсатора ячейки ЗУ.

Неисправности ИС ОЗУ обычно проявляются как неисправности одного бита, линии выборки разряда, линии выборки слова, обеих линий, всей ИС.
Для повышения надежности ОЗУ используются корректирующие коды (КК). Наиболее распространен класс кодов с коррекцией одиночной и обнаружением двойной ошибки (КО—ОД). Самым известным среди них является код Хэмминга. В последние годы были разработаны и дру-гие коды, являющиеся модификацией кода Хэмминга. Примером таких кодов являются коды с нечетными весами столбцов проверочной матрицы.

Число ошибок, возникающее в результате неисправности ИС ОЗУ, зависит от типа неисправности. Например, неисправность одной ячейки вызывает одиночную ошибку, а всей ИС ОЗУ — кратную. Обычно биты и адреса ОЗУ распределяют по ИС и ТЭЗ таким образом, чтобы ошибки можно было исправлять с помощью выбранного КК. При использовании кода КО—ОД наилучшим является размещение «один бит в одной ИС». В этом случае даже отказ всей ИС не нарушает работу ОЗУ. Благодаря такому размещению код КО—ОД повышает время наработки на отказ накопительной части ОЗУ до значения, сравнимого с аналогичным показателем остальных компонентов ОЗУ (дешифраторов, усилителей).

VN:F [1.9.18_1163]
Rating: 0.0/10 (0 votes cast)

Опубликовано: Март 5, 2013

Классные штуки!